Unikátní 2D feroelektrika pro sledování raketových a jaderných testů
Během týdne skupina vědců Rutgerovský (Rutger) National Research University of United States zveřejnila článek, který informuje o vytvoření unikátního feroelektrického materiálu ve formě nejtenčích filmů.
Pro informaci: feroelektrika se nazývají krystalické látky, ve kterých dochází k "spontánní" polarizaci v určitém teplotním rozsahu - v nepřítomnosti vnějších elektrických polí. To vede ke vzniku piezoelektrických a pyroelektrických efektů. Tyto látky se používají při výrobě vysokokapacitních kondenzátorů, v systémech elektronické optiky, pro přesná měření teploty ve významném rozsahu.
Význam vytváření tenkovrstvých feroelektrických krystalů spočívá v tom, že z nich lze vyrobit výrobky téměř jakéhokoli tvaru s určitými polarizačními parametry. Takové materiály mají vysoký stupeň tzv. seismické citlivosti, což umožňuje jejich použití pro předpověď zemětřesení a přesné sledování raketových a jaderných testů. Materiály této třídy se také používají jako výkonné zářiče (včetně ultrazvuku a rázových vln).
Z vyjádření fyziků zmíněné univerzity:
Základem 2D materiálu (tenký film s feroelektrickými vlastnostmi) je titaničitan barnatý, titaničitan strontnatý a titaničitan lanthanitý, jejichž atomy jsou uspořádány tak, jak je znázorněno na obrázku.
Tvůrci tenkovrstvého feroelektrika, které vykazuje své vlastnosti při „pokojové“ teplotě, říkají, že tento materiál může být zajímavý pro společnosti zabývající se výrobou zařízení pro ukládání informací, zařízení pro sonar, mobilní telefony a ultracitlivé antény.
Z prohlášení vývojářů:
Michail Kareev, Xiaoran Liu, Karin Rabe, Jak (Jak) Chakhalyan, Claude Lovelace, Sergei Nikitin, Yanwei Kao, Zheng Wang, Venkatraman Gapolan, Yukun Yuan a další se podíleli na vývoji tenkovrstvého vrstveného feroelektrika v USA Jak je vidět, čínská a ruská příjmení jsou přítomna.
Pro informaci: feroelektrika se nazývají krystalické látky, ve kterých dochází k "spontánní" polarizaci v určitém teplotním rozsahu - v nepřítomnosti vnějších elektrických polí. To vede ke vzniku piezoelektrických a pyroelektrických efektů. Tyto látky se používají při výrobě vysokokapacitních kondenzátorů, v systémech elektronické optiky, pro přesná měření teploty ve významném rozsahu.
Význam vytváření tenkovrstvých feroelektrických krystalů spočívá v tom, že z nich lze vyrobit výrobky téměř jakéhokoli tvaru s určitými polarizačními parametry. Takové materiály mají vysoký stupeň tzv. seismické citlivosti, což umožňuje jejich použití pro předpověď zemětřesení a přesné sledování raketových a jaderných testů. Materiály této třídy se také používají jako výkonné zářiče (včetně ultrazvuku a rázových vln).
Z vyjádření fyziků zmíněné univerzity:
Vytvořili jsme novou třídu dvourozměrných umělých materiálů s feroelektrickými vlastnostmi při pokojové teplotě, které se v této formě v přírodě nevyskytují a mohou vést elektřinu. To je důležité spojení mezi teorií a experimentem. Tloušťka materiálu je pouze několik atomů.
Základem 2D materiálu (tenký film s feroelektrickými vlastnostmi) je titaničitan barnatý, titaničitan strontnatý a titaničitan lanthanitý, jejichž atomy jsou uspořádány tak, jak je znázorněno na obrázku.
Tvůrci tenkovrstvého feroelektrika, které vykazuje své vlastnosti při „pokojové“ teplotě, říkají, že tento materiál může být zajímavý pro společnosti zabývající se výrobou zařízení pro ukládání informací, zařízení pro sonar, mobilní telefony a ultracitlivé antény.
Z prohlášení vývojářů:
Když se materiál stane feroelektrikem, jeho atomy se neustále mění a my jsme chtěli uměle vytvořenému krystalu, který vede elektřinu, přidat kovové vlastnosti. Vzali jsme dvě velmi tenké vrstvy, abychom vytvořili XNUMXD kov na rozhraní, a přidali jsme třetí vrstvu se speciálními vlastnostmi pro pohyb atomů v této kovové vrstvě, čímž jsme vytvořili látku, kterou lze nazvat feroelektrický kov. Nový rámec má několik funkcí a je oboustranně výhodný.
Michail Kareev, Xiaoran Liu, Karin Rabe, Jak (Jak) Chakhalyan, Claude Lovelace, Sergei Nikitin, Yanwei Kao, Zheng Wang, Venkatraman Gapolan, Yukun Yuan a další se podíleli na vývoji tenkovrstvého vrstveného feroelektrika v USA Jak je vidět, čínská a ruská příjmení jsou přítomna.
- Národní laboratoř Brookhaven
informace